RRAM
(Resistive Random Access Memory, ReRAM, ellenálló véletlen hozzáférésű memória)

A számítógépi memória olyan típusa, amely működésekor egy memristornak is nevezett dielektromos szilárdtest-anyagon megváltoztatja az ellenállást.
Az RRAM hibákat, oxigénüresedéseket (oxidkötési helyeket, ahol az oxigént eltávolították) generál egy vékony oxidrétegben. Ezek a hibák ezután elektromos mező alatt feltöltődhetnek és sodródhatnak. Az oxigénionok mozgása és a szabad helyek az oxidban analógok lennének a félvezetőkben az elektronok és lyukak mozgásával.
Anyagok széles skálája használható RRAM-hoz

Felhasznált irodalom